500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选
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CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon CCoolSemi 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产品性能: 不限
超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场超结器件（Super Junction 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导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限
导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限
产品关键字: 不限
CPD50R1K1G3CPD50R2K2G3CPD55R190G3CPD55R1K6G3CPW60R028FD4CPW60R030FD1CPW60R030FT1CPW60R027FD1CPW60R027FT1CPW60R028FT4CPW60R030FT4CPW60R022FT1CPW60R017FD5CPW60R065T4CPW60R065FT4CPP60R065FT4CPA60R065FT4CPW60R090FD3CPP60R090FD3CPB60R090FD3CPA60R090FD3CPW60R090FT4CPA60R090FT4CPW60R140FD3CPB60R140FD3CPA60R140FD3CPP60R140FD3CPB60R140FT4CPA60R140FT4CPA60R280G2CPD60R280G2CPD60R600FD2CPA60R600FD2CPP60R600FD2CPD60R1K5G3CPD60R2K2G3CPW65R040FD1CPW65R040T4CPW65R040FT4CPW65R041FC1CPW65R065T4CPW65R065FT4CPP65R065FT4CPA65R065FT4CPA65R099FD3CPB65R099FD3CPP65R099FD3CPW65R099FD3CPW65R099FT4CPA65R099FT4CPW65R140FD3CPB65R140FD3CPA65R140FD3CPP65R140FD3CPB65R140FT4CPA65R140FT4CPA65R190C1CPB65R190C1CPP65R190C1CPA65R190FC1CPB65R190FC1CPP65R190FC1CPP65R190G1CPB65R190G1CPA65R190G1CPA65R190FD1CPP65R190FD1CPB65R190FD1CPA65R190FT4CPB65R190FT4CPA65R340G2CPD65R340G2CPL65R340G2CPLS65R340G2CPA65R380G3CPB65R380G3CPD65R380G3CPP65R380G3CPL65R380G3CPA65R650G2CPD65R650G2CPP65R650G2CPN65R650G2CPA65R950G2CPD65R950G2CPP65R950G2CPN65R950G2CPA65R2K4G3CPD65R2K4G3CPP65R2K4G3CPA80R180G1CPB80R180G1CPW80R180G1CPP80R180G1CPA80R250G1CPB80R250G1CPW80R250G1CPP80R250G1CPA80R650G1CPD80R650G1CPP80R650G1CPA80R650G2CPD80R650G2CPP80R650G2CPA80R900G1CPD80R900G1CPP80R900G1CPA90R340G1CPB90R340G1CPW90R340G1CPP90R340G1CPA90R500G1CPB90R500G1CPP90R500G1CPA90R1K2G1CPD90R1K2G1CPP90R1K2G1CPA95R450G1CPB95R450G1CPW95R450G1CPP95R450G1CPA95R700G1CPB95R700G1CPP95R700G1CPA95R1K5G1CPD95R1K5G1CPP95R1K5G1
500~1000V 深沟槽超结SJ MOS
| 图片 | 型号 | 制造商 | 价格 | 库存 | 货期 | 批号 | 操作 | |
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CPB65R190C1 | 功成半导体 |
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0 | - | CPB65R190C1... |
|
|
|
|
CPP65R190C1 | 功成半导体 |
|
0 | - | CPP65R190C1... |
|
|
|
|
CPA65R190FC1 | 功成半导体 |
|
0 | - | CPA65R190FC1... |
|
|
|
|
CPB65R190FC1 | 功成半导体 |
|
0 | - | CPB65R190FC1... |
|
|
|
|
CPD50R1K1G3 | 功成半导体 |
|
0 | - | CPD50R1K1G3... |
|
|
|
|
CPD50R2K2G3 | 功成半导体 |
|
0 | - | CPD50R2K2G3... |
|
|
|
|
CPD55R190G3 | 功成半导体 |
|
0 | - | CPD55R190G3... |
|
