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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

工艺技术: 不限

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

最大漏源电流ID(A): 不限

14

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

340

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

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CPA65R340G2
CPA65R340G2 功成半导体
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CPD65R340G2
CPD65R340G2 功成半导体
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CPL65R340G2
CPL65R340G2 功成半导体
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CPLS65R340G2
CPLS65R340G2 功成半导体
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CPA90R340G1
CPA90R340G1 功成半导体
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CPB90R340G1
CPB90R340G1 功成半导体
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CPW90R340G1
CPW90R340G1 功成半导体
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CPP90R340G1
CPP90R340G1 功成半导体
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