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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

工艺技术: 不限

封装形式: 不限

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

600

最大漏源电流ID(A): 不限

100

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

销量: 价格:
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  图片 型号 制造商 价格 库存 货期 批号 操作
CPW60R028FD4
CPW60R028FD4 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPW60R028FD4...
CPW60R030FD1
CPW60R030FD1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW60R030FT1
CPW60R030FT1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW60R027FD1
CPW60R027FD1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW60R027FT1
CPW60R027FT1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW60R028FT4
CPW60R028FT4 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW60R030FT4
CPW60R030FT4 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW60R022FT1
CPW60R022FT1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPW60R017FD5
CPW60R017FD5 功成半导体
  • 暂无价格
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