您所在的位置 > 首页 > 产品 > CPW60R030FD1
图片仅供参考，请参考产品描述

863-CPW60R030FD1

型号：
CPW60R030FD1
制造商：
功成半导体
批号：
CPW60R030FD1
描述：
-
分享：
0
库存：
0 个
货期：
-
价格：
暂无价格
PDF：
询价数量：
沟槽类型 : N-channel Super Junction MOSFET
工艺技术 : 深沟槽超结MOS
极性 : N-channel
封装形式 : TO-247
最大漏源电流ID（A） : 100
击穿电压VDS(V) : 600
产品性能 : 超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场
产品优势 : CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C
产品关键字 : CPW60R030FD1
导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ. : 26
导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max : 30
添加到比较列表
暂时没有评论!

您可以在此与其他用户分享您的想法（字数限制：不少于5个字符）

您将以游客身份发表评论，如果您是本站会员，可以 [点此登录]，或者 [点此注册] 成为本站会员。

功能相似产品

  • CPP95R1K5G1
  • CPD95R1K5G1
  • CPA95R1K5G1
  • CPP95R700G1
  • CPB95R700G1
  • CPA95R700G1
  • CPP95R450G1
  • CPW95R450G1

    • 热销产品排行

  • MS31703NA
  • LC1162B
  • GS1062A
  • OC6813
  • MS5189N
  • MS5182N
  • MS1549
  • AP3N10BI

    • 询价列表

    清空列表   |   隐藏

    暂无数据，您可以通过点击页面内的添加询价按钮添加询价

    型号 厂商 批号 需求数量 封装 接受价格 操作
    您希望如何将RFQ通知到您 :              
    Email : * 电话 : *
    公司名 : * 联系人 : *
    传真 : 联系地址 :
    发送询价信息