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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

工艺技术: 不限

封装形式: 不限

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

最大漏源电流ID(A): 不限

5

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

销量: 价格:
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CPA80R900G1
CPA80R900G1 功成半导体
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CPD80R900G1
CPD80R900G1 功成半导体
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CPP80R900G1
CPP80R900G1 功成半导体
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CPA90R1K2G1
CPA90R1K2G1 功成半导体
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CPD90R1K2G1
CPD90R1K2G1 功成半导体
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CPP90R1K2G1
CPP90R1K2G1 功成半导体
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