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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

工艺技术: 不限

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

800

最大漏源电流ID(A): 不限

24

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

180

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

150

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

销量: 价格:
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  图片 型号 制造商 价格 库存 货期 批号 操作
CPA80R180G1
CPA80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPA80R180G1...
CPB80R180G1
CPB80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPB80R180G1...
CPW80R180G1
CPW80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
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CPP80R180G1
CPP80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
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