您所在的位置 > 首页 > 产品 > 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

 

隐藏

热销产品

最近浏览产品

您还没有浏览任何产品

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

收起筛选

制造商 : 不限

工艺技术: 不限

产品优势: 不限

CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon CCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon C

产品性能: 不限

超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

最大漏源电流ID(A): 不限

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

销量: 价格:
< 2 / 7 >
  图片 型号 制造商 价格 库存 货期 批号 操作
CPP80R900G1
CPP80R900G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPP80R900G1...
CPD80R900G1
CPD80R900G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPD80R900G1...
CPA80R900G1
CPA80R900G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPA80R900G1...
CPP80R650G2
CPP80R650G2 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPP80R650G2...
CPD80R650G2
CPD80R650G2 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPD80R650G2...
CPA80R650G2
CPA80R650G2 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPA80R650G2...
CPP80R650G1
CPP80R650G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPP80R650G1...
CPD80R650G1
CPD80R650G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPD80R650G1...
CPA80R650G1
CPA80R650G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPA80R650G1...
CPP80R250G1
CPP80R250G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPP80R250G1...
CPW80R250G1
CPW80R250G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPW80R250G1...
CPB80R250G1
CPB80R250G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPB80R250G1...
CPA80R250G1
CPA80R250G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPA80R250G1...
CPP80R180G1
CPP80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPP80R180G1...
CPW80R180G1
CPW80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPW80R180G1...
CPB80R180G1
CPB80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPB80R180G1...
CPA80R180G1
CPA80R180G1 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPA80R180G1...
CPP65R2K4G3
CPP65R2K4G3 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPP65R2K4G3...
CPD65R2K4G3
CPD65R2K4G3 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPD65R2K4G3...
CPA65R2K4G3
CPA65R2K4G3 功成半导体
  • 暂无价格
0 - CPA65R2K4G3...

询价列表

清空列表   |   隐藏

暂无数据,您可以通过点击页面内的添加询价按钮添加询价

型号 厂商 批号 需求数量 封装 接受价格 操作
您希望如何将RFQ通知到您 :              
Email : * 电话 : *
公司名 : * 联系人 : *
传真 : 联系地址 :
发送询价信息