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100V/8A N+P沟道增强型MOSFET-AP8G10NF

Model：
AP8G10NF
Brand：
APM永源微
Batch No：
永源微AP8G10NF
Desc：
-
Share：
0
Stock：
0 PCS
Delivery：
正在投产
Price：
No Price
PDF：
Enquiry Quantity：
: PDFN5*6-8L，
Typical application scheme : ●蓄电池保护 ●负载开关 ●不间断电源
Product Keyword : N+P沟道MOS,100V N+P-沟道MOS，开关MOS，N+P-MOS,N+P场效应管，N+P双MOS管
Channel Mode : Trench沟槽工艺N+P-MOS，
Polarity Configuration : N+P-沟道MOS，N+P双MOS
Technology : AP8G06NF采用先进的沟槽技术 以提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷和 栅极电压低至4.5V时的操作。
MOQ（Pcs） : 5000PCS,
VDS(V) : VDS = 100V,
ID（A） : N沟道：ID =8A，P沟道： ID =-6.5A ，
VGS (±V) : VGS=±20，
Rdson @10V(mΩ) : N沟道：RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V；P沟道：RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V，
Rdson @4.5V(mΩ) : N沟道：RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=4.5V；P沟道：RDS(ON) < 230mΩ @ VGS=4.5
Vgs(th)（V） : N沟道：Vgs(th)=3.0V,P沟道：Vgs(th)=-3.0V,
Qg(nC) : N沟道：Qg=7.6nC,P沟道：Qg=20nC,
Qgs(nC) : N沟道：Qgs=1.4nC,P沟道：Qgs=3.5nC,
ESD HBM (KV) : N沟道：FOM=0.57Ω.nC,P沟道：FOM=4.2Ω.nC
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