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功率器件：MOSFET規格書解讀及MOSFET如何選型？.pdf
一、 如何解讀 MOSFET 規格書
註意：下面為兩個典型同行的規格書標註
左邊為只標註 Type，右邊 Type 都不標註直接就等於號，這樣很容易客戶出現誤解，把我們規格書首頁的最大值去匹配他們的典型值。同時這裏面會存在一個隱患，因為MOSFET 參數本身是一個會存在離散的，如果規格書首頁標註的是典型值，客戶誤解以為是標準參數，大客戶測試標準是根據規格書測試，假設標準為 13Mr 內阻,但是由於離散在 15Mr，但是因為最大值在 18Mr 所以他在測試的時候不會篩掉。但是大客戶根據你測試出來在 15Mr，比你標準的內阻高了 2Mr，這個時候很容易造成誤解從而會進入大客戶黑名單，所以一般來說，行業標準類似英飛淩，ON，ST 或者臺系品牌或者新結能等品牌都是在首頁標註最大值。(Type:典型值 Min：最小值 Max：最大值)
註意：
開啟電壓：
這裏很多人員剛接觸 MOS 會有一個誤區，認為我只需要給到規格書標註的電壓就可以將 MOS 打開，這個是有問題。MOS 分成半導通（圖一）和全導通兩種概念。當你給到驅動電壓值後 MOS 會打開，但是會處於半導通，當你給到一定壓降後 MOS 才會完全打開。
全導通條件：Vth（Type）x3=完全導通電壓
註：實際條件下可以參考 Type 值作為參考值，但是建議理論上要根據最大值作為計算值
一般情況下不同開啟電壓內阻可以參考如下公式（不可作為標準，僅供參考）
結電容：
關於結電容數據，很多工程師一直糾結結電容數據，認為結電容越低越好。 但是其實對於結電容數據來看，他代表的是柵氧層厚度，結電容越大。一般情況下，結電容越大，芯片尺寸 越大。對應開關速度會比較慢根據開關速度，我們總結了一些我們客戶的一些對結電容的參考對照表
二、如何比較替換 MOSFET。
MOS 匹配替換幾個指標：
A：Design process（設計工藝）
B：channel（溝道）
C：Package（封裝形式）
D：BVDSS（耐壓）
E：RDS-Type/RDSMax（內阻）
F：Vth（開啟電壓）
註：請註意關於內阻，很多公司都是為了迎合市場需要往往在首頁標註典型值/最小值。對比原則要一一對應。
1、當客戶咨詢 A 型號 MOS，你們是否有替換的產品的時候。該如何處理？
例如：客戶咨詢英飛淩 IPP070N08N3G,該如何去匹配替換的型號呢？
先上半導小芯 http://www.semiee.com/ 官網輸入英飛淩型號，查看首頁查看：設計工藝，溝道，封裝形式
接下來主要要查看第二頁數據：耐壓，開啟電壓，內阻典型值
步驟一：對照 APM mosfet list，先挑選工藝
Opti 工藝對應 SGT 工藝。
步奏二：進入 VDS（耐壓）篩選表，對應耐壓值篩選按鍵。例如：IPP070N08N3G 為 80V 產品，因此勾選 80 或者 80V 以上的產品耐壓
步驟三：找到 Package 篩選頁面，找到對應的封裝形式。例如：IPP070N08N3G 為 TO-220-3
步驟四：找到 Vgs（th）表格，挑選典型值接近產品，（註意：是接近的，MOSFET 是沒有絕對一樣的典型值的，接近的即可）
步驟五：找到 RDS-10V 這個系列，選擇典型值接近的產品。
步驟六：選擇常出貨的產品：最後選擇了 AP120N08P
三、如何從源頭設計選型 MOS。
步驟一：先選擇驅動電壓（Vth）
判斷 MOSFET GS 實際驅動電壓是多少，根據公式：完全導通電壓=Vth*3。計算出應該選擇 MOS 的驅動電壓
的範圍，（在很多時候可以參考 MOS 的 Vth Type）
步奏二：選擇合適的耐壓（VDS）
常規而言，VDS=實際工作電壓*1.5。
但是根據不同應用會產生不同的余量設計，下面是根據不同應用匯總的一個參考指標
步驟三：選擇合適的封裝（Package）
1、考量封裝形式通用性
2、考量產品設計的尺寸大小
3、考量產品功率和設計余量溫度，根據封裝熱阻系數選擇封裝形式
熱阻系數：表示功率每上升 1W，會產生多少溫度
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