50W外置MOS高壓線性LED恒流驅動器LA5110D
LA5110D概述：
LA5110D是壹款單通道高壓線性LED恒流驅動器，實時監測電網電壓並調整驅動器阻抗，以實現LED負載的恒流驅動。內置的過溫補償功能，避免過熱引起的熱保護閃爍。其電源系統結構簡單，內置500V高壓啟動電路,只需很少的外圍器件就可以實現優秀的恒流特性。是壹款體積小、成本低的LED恒流單芯片驅動
LA5110D系統的輸出電流可以通過電流采樣電阻進行編程。由於無需電解電容及磁性元件，可以實現很小的電源體積和非常長的電源壽命。
LA5110D采用QFN3X3-3L封裝。
LA5110D特點
●滿足輸入電壓110VAC/120VAC /220VAC
●大電流應用外置Power MOS (12W以內可配LA03N50S，50W配置2N60足夠了)
●可編程的LED輸出電流，恒流電流精度±4%
●過溫保護功能
●過溫補償功能
●精簡的外圍電路，成品電源體積小
LA5110D應用範圍:
LED 燈絲燈/蠟燭燈/射燈/球泡燈/日光燈
LA5110D訂貨信息
產品型號
| 封裝類型
| 溫度範圍
| 定購號
| 包裝
|
LA5110D
| QFN3X3_3L
| -40℃ to 85℃
| LA5110D_ QFN3X3_3L | 編帶_4000/盤
|
LA5110D管腳定義：
LA5110D引腳名稱
| LA5110D引腳號 | LA5111 引腳功能
|
| GND | 1 | 系統接地腳 |
G
| 2 | 外置MOS控制端，接MOS的gate端
|
CS
| 3 | 電流取樣腳， 連接取樣電阻到地。 |
| D | 4 | 芯片供電端，同時也是驅動輸出腳，接LED負端 |
LA5110D典型應用(功率隨MOS而定，建議，單顆LA5110D做50W)
紅框中的電路功能可根據需求增加或減少
LA5110D功能描述
1. LA5110D是壹款單通道高壓線性LED恒流驅動器，內部集成了高壓啟動模塊、LED恒流控制模塊、OTP過溫保護模塊、溫度補償、高壓驅動輸出模塊等功能模塊。
2. 輸出電流通過改變CS端外接電阻Rcs來編程，內置MOS版本LA5110C、LA5110C2可滿足每通道輸出電流在5mA到60mA之間變化，大電流應用可選用外置MOS版本的LA5110D，輸出電流的恒流公式為：Iout =VREF /Rcs。
3. 芯片支持溫度補償模塊, 在溫度升高到150℃時, LED 電流按照設定曲線減小, 溫度接近170度LED電流下降到接近0. 進入溫度保護狀態. 溫度補償功能可以避免LED因為環境溫度高, 造成LED燒毀的現象。
LA5110D應用信息：
1、高壓LED串的設計
所需設計參數如下：
（1） 交流輸入電壓：Vnor（Vrms）
（2）LED晶粒的正向電流：If（mA）
（3）LED晶粒的正向電壓：Vf（V）
LED晶粒的總數：N =（Vnor * 1.414-V1）/Vf （取整）。
其中V1是工作時IC壓降，可以根據實際應用中散熱條件適當調整，建議芯片功耗不大於1.5W。當輸入電壓波動到Vnor*1.414-V1＜Vf*N.時燈珠串不亮，V1過大損耗會增大，芯
片損耗增加溫度上升，所以V1取值要根據輸入電壓波動合理設定。
2、效率設計
其中Vin是AC輸入電壓，VLED 是每個LED燈工作電壓降，ILED是LED導通電流。線路中串聯的LED數量N越大，系統工作效率越高。設計過程中，可以根據實際應用條件合理調節V1，優化效率。
3、恒流控制，輸出電流設置
LA5110D可以通過外部電阻精確的設定工作電流。工作電流計算公式： Iout =VREF /Rcs
註：布PCB線路時芯片要有良好的散熱環境。
電解電容C值越大，電壓Vin 紋波越小，LA5110D輸入D端口電壓紋波越小。C值根據LED 燈管總工作電流而定：電流越大，C容值越大，壹般取值4.7uF/400V~22uF/400V
LA5110D應用案例：
220VAC輸入，LED燈珠在30mA電流時每顆燈珠約3V壓降（視燈珠而定）：
燈珠數量確定(如典型應用圖)
燈珠數N = (Vnor * 1.414-V1)/Vf=（220*1.414-50）/3≈88顆
取樣電阻計算：
預設電流為I =30mA。
算法如下：
芯片工作溫度77℃，Vref取600mV。
R2=Vref/I=600mV/30mA≈210Ω
根據並聯的LED串數和工作電流，選擇不同大小的取樣電阻。整個線路恒流電流大小等於每個芯片恒流值之和。
