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100V N沟道增强型MOSFET: AP3N10BI,100V/3A N-MOS

詢價數量：

典型應用方案 :	美容雾化,小信号开关MOS,蓄电池保护, Load switch 负载开关,UPS
產品關鍵字 :	N-MOS,APM MPS,台湾永源微，
溝槽類型 :	100V N沟道增强型MOSFET,
極性 :	N-MOS,
工藝技術 :	沟槽工艺Trench N-MOS,
最小包裝MOQ（Pcs） :	3000PCS,
擊穿電壓VDS(V) :	VDS = 100V,
最大漏源電流ID（A） :	ID =2.8 A,
最大驅動電壓VGS (±V) :	VGS=±20,
ESD靜電保護 HBM (KV) :	无静电保护，
導通內阻Rdson @10V(mΩ) :	Rdson Max.@10V=310mΩ,
導通內阻Rdson @4.5V(mΩ) :	Rdson Max.@4.5V=320mΩ,
開啟電壓Vgs(th) :	Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,
總柵極電荷Qg :	Qg=13.6nC,
柵源電荷Qgs :	Qgs=2.2nC,
柵漏電荷Qgd :	Qgd=2.4nC,
輸入結電容Ciss :	Ciss=711pF,
輸出結電容Coss :	Coss=41pF,
反饋結電容Crss :	Crss=23pF,
替代型號 :	3N10，