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 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS 筛选

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制造商 : 不限

工艺技术: 不限

封装形式: 不限

极性: 不限

击穿电压VDS(V): 不限

最大漏源电流ID(A): 不限

2

导通内阻Rdson @10V(mΩ).Max: 不限

导通内阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ.: 不限

 500~1000V 深沟槽超结SJ MOS

销量: 价格:
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CPA65R2K4G3
CPA65R2K4G3 功成半导体
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CPD65R2K4G3
CPD65R2K4G3 功成半导体
  • 暂无价格
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CPP65R2K4G3
CPP65R2K4G3 功成半导体
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CPD55R1K6G3
CPD55R1K6G3 功成半导体
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CPD60R1K5G3
CPD60R1K5G3 功成半导体
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CPD60R2K2G3
CPD60R2K2G3 功成半导体
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CPD50R1K1G3
CPD50R1K1G3 功成半导体
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CPD50R2K2G3
CPD50R2K2G3 功成半导体
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