外置MOS升壓型60W功率的LED恒流驅動器OC6701B

外置MOS升壓型LED驅動器OC6701B概述

 OC6701B是壹款高效率、高精度的升壓型大功率LED恒流驅動控制芯片。 OC6701B內置高精度誤差放大器，固定關斷時間控制電路，恒流驅動電路等，特別適合大功率、多個高亮度LED燈串恒流驅動。

 OC6701B采用固定關斷時間的控制方式，關斷時間可通過外部電容進行調節，工作頻率可根據用戶要求而改變。

 OC6701B通過調節外置的電流采樣電阻，能控制高亮度LED燈的驅動電流，使LED燈亮度達到預期恒定亮度。在EN端加PWM信號，還可以進行LED燈調光。

 OC6701B內部集成了VDD穩壓管，軟啟動以及過溫保護電路，減少外圍元件並提高系統可靠性。

 OC6701B采用SOP8封裝。

外置MOS升壓型LED驅動器OC6701B特點

●寬輸入電壓範圍：2.6V~100

●高效率：可高達95%

●最大工作頻率：1MHz

●CS限流保護電壓：250mV

●FB電流采樣電壓：250mV

●芯片供電欠壓保護：2.6V

●關斷時間可調

●智能過溫保護

●軟啟動

●內置VDD穩壓管

外置MOS升壓型LED驅動器OC6701B應用

●LED燈杯

●單節電池以上供電的 LED 燈串

●平板顯示LED背光

●大功率LED照明

外置MOS升壓型LED驅動器OC6701B典型應用電路圖

外置MOS升壓型LED驅動器OC6701B的封裝及管腳分配

OC6701B管腳定義

OC6701B極限參數

功率達60W的外置MOS升壓型LED驅動器OC6701B應用指南

  OC6701B是壹款升壓型大功率LED恒流驅動控制IC，采用固定關斷時間的峰值電流模式控制方式。

  芯片內部由誤差放大器、PWM比較器、電感峰值電流限流、固定關斷時間控制電路、PWM邏輯、功率管驅動、基準等電路單元組成。

  芯片通過FB管腳來采樣LED輸出電流。系統處於穩態時FB管腳電壓VFB恒定在約250mV。當VFB電壓低於250mV時，誤差放大器的輸出電壓即COMP管腳電壓升高，從而使得在功率管導通期間電感的峰值電流增大，因此增大了輸入功率，VFB電壓將會升高。反之，當VFB電壓高過250mV時，誤差放大器的輸出電壓會逐漸降低，從而使得在功率管導通期間電感的峰值電流減小，因此減小了輸入功率，VFB電壓隨之降低。

  芯片通過CS管腳采樣電感電流，實現峰值電流控制。此外，CS腳還用來限制最大輸入電流，實現過流保護功能。

  系統關斷時間可通過連接到TOFF管腳的電容COFF來設置。通過設定關斷時間，可設置系統的工作頻率。

COMP管腳是誤差放大器的輸出端，可以在COMP腳外接電阻、電容來實現頻率補償。

OC6701內部集成了VDD穩壓管，以及軟啟動和過溫保護電路。

升壓恒流芯片OC6701B的LED電流設置

LED輸出電流由連接到FB管腳的反饋電阻RFB設定：

T_OFF設置

  如果不外接C_OFF，OC6701B內部將關斷時間設定為620ns。對於大多數應用，建議C_OFF電容取值為22~33pF或更大。

OC6701B系統工作頻率Fs

  系統工作頻率F_S由下式確定：

其中V_IN、V_OUT分別是系統輸入和輸出電壓。

OC6701B外圍電感取值

  流過電感的紋波電流大小與電感取值有關。工作於連續模式時電感紋波電流由下式確定：

增大電感值紋波電流會減小，反之增大。

連續模式下電感的峰值電流由下式確定：

電感電流工作在連續模式與非連續模式的臨界值由下式確定：

電感數值大於Lcri則系統工作在連續模式，電感數值小於Lcri則系統工作在非連續模式。 在電感選擇時，應保證流過電感的峰值電流不引起電感的磁飽和。通常要求電感的飽和電流大於電感峰值電流的1.5倍以上。同時應選擇低ESR的功率電感，在大電流條件下電感自身的ESR會顯著影響系統的轉換效率。

OC6701B電路的R_CS設置

 需合理設置RCS電阻阻值，以防止在正常負載下因為輸入限流而限制輸出功率。

  其中η表示轉換效率，典型地可取90%。應在最低輸入電壓下計算得到R_CS值。

 系統的最大峰值電流I_PK由電阻R_CS限定：

OC6701B電路外置MOS管選擇

 首先要考慮MOS管的耐壓，壹般要求MOS管的耐壓高過最大輸出電壓的1.5倍以上。其次，根據驅動LED電流的大小以及電感最大峰值電流來選擇MOS管的I_DS電流。壹般MOS管的I_DS最大電流應是電感最大峰值電流的2倍以上。此外，MOS管的導通電阻R_DSON要小，R_DSON越小，損耗在MOS管上的功率也越小，系統轉換效率就越高。

 另外，高壓應用時應註意選擇閾值電壓在2.5V以內的MOS管。芯片的工作電源電壓決定了DRV驅動電壓。通常芯片的驅動電壓為5.5V，所以應保證MOS管在VGS電壓等於5.5V時導

通內阻足夠低。

OC6701B芯片供電電阻選擇

 OC6701B通過供電電阻RVDD對芯片VDD供電。

  其中VDD取5.5V, I_VDD典型值取2mA，VIN為輸入電壓。當開關頻率設置的較高或者MOS管的輸入電容較大時，芯片工作電流會增大，相應地應減小供電電阻取值。

  芯片內部接VDD腳的穩壓管最大鉗位電流不超過10mA，應註意R_VDD的取值不能過小，以免流入VDD的電流超過允許值，否則需外接穩壓管鉗位。

OC6701B芯片過溫保護

 當芯片溫度過高時，系統會限制輸入電流峰值，典型情況下當芯片內部溫度超過135度以上時，過溫調節開始起作用：隨溫度升高輸入峰值電流逐漸減小，從而限制輸入功率，增強系

統可靠性。