
Silan
製造商介紹
杭州士兰微电子股份有限公司(上交所股票代码:士兰微,600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业,公司目前的主要产品是集成电路和半导体产品。
持之以恒地专注于技术的提升、团队的建设、管理的完善、市场的开拓、运作模式的创新,得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子在中国的集成电路芯片设计业已取得了初步的成功,已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一;其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。
2003年1月,士兰微电子投资建设的第一条集成电路芯片生产线投入运营,标志着在芯片设计与制造结合的模式上向前迈进了一步,期望在半导体芯片的特殊制造工艺上取得突破,带动公司新的产品线的发展。
2007年10月,公司投资的半导体照明发光二极管生产新厂区落成,半导体照明发光二极管产业成为公司新的经济增长点,将为公司的发展创造更加广阔的空间。整合技术优势,加强研发管理,建设面向技术平台研发和产品开发互动的研发体系是士兰微电子谋求持续发展的重要举措,是公司实现战略目标的可靠保证。士兰微电子目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:
应用于消费类数字音视频系统的集成电路产品,包括以光盘伺服为基础的芯片和系统、单芯片的CD播放机系统、MP3/WMA数字音频解码等系统和产品、数字媒体处理SOC等产品。
基于士兰微电子集成电路芯片生产线的双极、BiCMOS和BCD工艺为基础的模拟、数字混合集成电路产品,这些产品包括高性能的电源管理电路和系统、白光LED驱动电路、各类功率驱动电路等。
基于士兰微电子芯片生产线的半导体分立器件,如开关二极管、稳压管、肖特基管、MOS功率晶体管、瞬态电压抑制二极管等产品。
经过持续的积累与创新,士兰微电子目前已能够进行较复杂规模的系统级芯片的设计,具有为用户提供系统方案、软件、芯片的全方案解决能力。
依托于持之以恒的研发投入,士兰微电子期望获得稳定、持续、快速的发展,为客户提供优质、创新、低成本的集成电路产品和应用系统。
主營產品
Silan士兰微LED照明电源隔离恒流驱动芯片:PSR原边控制模式,高压MOS管内置,VCC过压/欠压保护,LED开路保护,LED短路保护,低BOM成本 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SD6601AS |
3W |
3*1W |
90~265V |
隔离PSR,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
SOP7 |
|
SD6601S |
5W |
5*1W |
90~265V |
隔离PSR,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
SOP7 |
|
SD6602AS |
7W |
7*1W |
90~265V |
隔离PSR,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
SOP7 |
|
SD6602S |
9W |
9*1W |
90~265V |
隔离PSR,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
SOP7 |
|
SD6602D |
12W |
12*1W |
90~265V |
隔离PSR,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
DIP7 |
|
SD6603D |
18W |
18*1W |
90~265V |
隔离PSR,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
DIP7 |
|
SD6604D |
20W |
20*1W |
90~265V |
隔离PSR,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
DIP7 |
|
SD6620 |
30W |
30*1W |
90~265V |
隔离PSR,三绕组,恒流恒压 |
外置MOS |
±3% |
—— |
SOT23-6 |
|
SD7624D |
24W |
24*1W |
90~265V |
隔离PSR,三绕组,恒流恒压 |
内置MOS |
±3% |
—— |
DIP7 |
|
SDH7631 |
3W |
3*1W |
90~265V |
单芯片,变压器双绕组 |
内置MOS |
±3% |
—— |
SOT89,TO92 |
|
Silan士兰微LED照明电源非隔离恒流驱动芯片:非隔离降压拓扑,线性和负载调整率好,高效率,高恒流精,输出短路保护,高温降电流功能,无辅助绕组供电,BOM成本低 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SD6701AS |
15W(<180mA) |
120V@120mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
SOP7 |
|
SD6701S |
18W(<240mA) |
150V@120mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
SOP7 |
|
SD6702S |
30W(<280mA) |
126V@240mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
SOP7 |
|
SD6703S |
32W(<300mA) |
130V@260mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
SOP7 |
|
SD6704S |
40W(<360mA) |
120V@330mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
SOP7 |
|
SD6701D |
24W(<260mA) |
100V@240mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
DIP7 |
|
SD6702D |
40W(<300mA) |
130V@280mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
DIP7 |
|
SD6704D |
50W(<400mA) |
150V@300mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
DIP7 |
|
SD6792S |
30W(<280mA) |
126V@240mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
SOP7 |
|
SD6794S |
40W(<360mA) |
120V@330mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±2.5% |
0.5 |
SOP7 |
|
Silan士兰微LED照明电源集成MOS非隔离恒流驱动芯片:非隔离降压拓扑,单芯片集成500V MOS,集成高压启动,无需启动电阻,快速启动,线性和负载调整率好,高效率,高恒流精度,输出开路和短路保护,高温降电流功能,防止闪烁,BOM成本低 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SDH7721N |
7W(<120mA) |
100V@80mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±3% |
0.5 |
SOT89 |
|
SDH7721M |
5W(<80mA) |
42V@100mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±3% |
TO92 |
||
SDH6721S |
7W(<120mA) |
100V@80mA |
176~265V |
非隔离,单绕组 |
内置MOS |
±3% |
0.5 |
SOP7 |
|
Silan士兰微LED照明电源高功率因素隔离恒流驱动芯片:BCM工作模式,EMI易通过,专利恒流技术保证批量一致性,输出电流随温度变化小,LED开路保护,LED短路保护,BOM成本低 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SD6800 |
30W |
45V*450mA |
90~265V |
隔离APFC |
外置MOS |
±2.5% |
0.9 |
SOP8 |
|
SD6800B |
60W |
40V*1500mA |
90~265V |
隔离APFC |
外置MOS |
±2.5% |
0.9 |
SOP8 |
|
SD6802AS |
7W |
7*1W |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±2.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6804AS |
12W |
12*1W |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±2.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6804S |
15W |
15*1W |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±2.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6804D |
18W |
18*1W |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±2.5% |
0.9 |
DIP7 |
|
SD6807D |
22W |
42V*450mA |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±2.5% |
0.9 |
DIP7 |
|
SDH6812S |
7W |
7*1W |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±3% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6814S |
15W |
12*1W |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±3% |
0.9 |
SOP7 |
|
SDH6817D |
22W |
42V*450mA |
90~265V |
隔离APFC |
内置MOS |
±3% |
0.9 |
DIP7 |
|
SA7527S |
60W |
36V*1500mA |
90~265V |
隔离PSR反激式APFC |
外置MOS |
±3% |
0.9 |
SOP8 |
|
SD7530S |
60W |
36V*1500mA |
90~265V |
隔离PSR反激式APFC,带短路保护 |
外置MOS |
±3% |
0.9 |
SOP8 |
|
Silan士兰微LED照明电源高功率因素非隔离恒流驱动芯片:非隔离拓扑主动式PFC,线性和负载调整率好,高功率因素,PF>0.9,IC一致性±1.5%,与电感变化无关。输出开路及短路保护。 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SD6900 |
40W |
80V*240mA |
90~265V |
非隔离APFC |
外置MOS |
±1.5% |
0.9 |
sot23-6 |
|
SD6901S |
9W(<200mA) |
48V*160mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6902S |
12W(<350mA) |
48V*200mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6904S |
18W(<500mA) |
80V*240mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6904D |
24W(<500mA) |
80V*300mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
DIP7 |
|
SD6920 |
40W |
80V*240mA |
90~265V |
非隔离APFC |
外置MOS |
±1.5% |
0.9 |
sot23-6 |
|
SD6921S |
9W(<200mA) |
48V*160mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6922S |
12W(<350mA) |
48V*200mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6923S |
15W(<380mA) |
60V*220mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6924AS |
18W(<500mA) |
80V*240mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6924S |
18W(<500mA) |
80V*240mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SDH6931S |
9W(<200mA) |
48V*160mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SDH6932S |
12W(<350mA) |
48V*200mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SDH6934S |
18W(<500mA) |
80V*240mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.9 |
SOP7 |
|
SD6741S |
9W(<200mA) |
40V*160mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.7 |
SOP7 |
|
SD6742S |
12W(<350mA) |
60V*200mA |
90~265V |
非隔离APFC |
内置MOS |
±1.5% |
0.7 |
SOP7 |
|
Silan士兰微LED照明电源高功率因素非隔离升降压恒流驱动芯片:非隔离升降压拓扑结构,BCM工作模式,EMI易通过,高功率因素,PF>0.95,THD<15%,LED开路保护,LED短路保护,BOM成本低 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SD6910A |
40W |
150V*200mA |
90~265V |
非隔离升降压APFC |
外置MOS |
±3.0% |
0.95 |
SOP8 |
|
SD6912S |
9W |
72V*120mA |
90~265V |
非隔离升降压APFC |
内置MOS |
±3% |
0.95 |
SOP7 |
|
SD6914S |
15W |
100V*150mA |
90~265V |
非隔离升降压APFC |
内置MOS |
±3% |
0.95 |
SOP7 |
|
Silan士兰微LED照明电源TRACK调光,可控硅调光LED恒流驱动芯片:非隔离升降压拓扑结构,主动PFC,内置高压启动,外围省成本,内置功率MOS,适可小体积要求,方案性价比高。EMI易通过,高功率因素,PF>0.9,最小调光角度时不闪烁,VCC高压功电,兼容性好,可兼容绝大多数调光器,BOM成本低 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SDH7002 |
12W |
70V*1300mA |
120V/230V |
非隔离升降压APFC |
内置MOS |
±3.0% |
0.9 |
SOP16 |
|
SDH7003A |
15W |
80V*150mA |
120V/230V |
非隔离升降压APFC |
内置MOS |
±3.0% |
0.9 |
SOP16 |
|
Silan士兰微LED照明电源支持DLT调光和智能调光LED恒流驱动芯片:非隔离升降压拓扑结构,主动PFC,内置高压启动,外围省成本,内置功率MOS,适可小体积要求,方案性价比高。EMI易通过,高功率因素,PF>0.9,最小调光角度时不闪烁,VCC高压功电,BOM成本低 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
典型应用 |
输入电压(Vac) |
拓扑结构 |
功率MOS管 |
恒流精度 |
功率因素 |
封装类型 |
产品详情 |
SDH7502 |
9W |
70V*130mA |
90~265V |
非隔离升降压APFC |
内置MOS |
±3.0% |
0.9 |
SOP16 |
|
SDH7503 |
14W |
90V*150mA |
90~265V |
非隔离升降压APFC |
内置MOS |
±3.0% |
0.9 |
SOP16 |
|
Silan士兰微LED照明电源DC-DC恒流驱动芯片,最高60Vdc输入电压(SD42527),IC一致性±1.5%,最大1A电流输出,有抖频功能,PWM调光和模拟调光功能 280KHz固定开关频闪,输出电压高时,效率可达到96%,内置过温保护,逐周期限流保护 | |||||||||
IC 型号 |
最大输出功率(W)(或电流) |
输入电压 |
输出电流(A) |
拓扑结构(Vdc) |
最大效率 |
恒流精度 |
是否调光 |
封装类型 |
产品详情 |
SD42522 |
18W |
6~36V |
1A |
DC-DC降压恒流 |
96% |
±1.5% |
-- |
SOP8 |
|
SD42524 |
18W |
6~36V |
1A |
DC-DC降压恒流 |
96% |
±1.5% |
线性调光/PWM调光 |
SOP8 |
|
SD4260 |
5W |
Vin+Vout<36V |
0.35A |
DC-DC升降压恒流 |
80% |
±3.0% |
PWM调光 |
ESOP8 |
|
SD4260 |
12W |
6~36V |
0.45A |
DC-DC升压恒流 |
93% |
±3.0% |
PWM调光 |
ESOP8 |
|
SD42527 |
36W |
6~60V |
1A |
DC-DC降压恒流 |
96% |
±3.0% |
线性调光/PWM调光 |
ESOP8 |