650v超級結超低內阻MOSFET（CoolMOS 11N65）
COOLMOS 11N65特性：
●非常低的RDS(on)×Qg
●100% 進行過電子雪崩測試.
●符合RoHS
COOLMOS 11N65應用
●開關電源（SMPS）
●不間斷電源（UPS）
●功率因數校正（PFC）
產品訂購標記和包裝信息
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訂購型號
| TPP65R380C
| TPA65R380C
| TPU65R380C
| TPD65R380C
| TPC65R380C
| TPB65R380C
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封裝形式
| TO-220
| TO-220F
| TO-251
| TO-252
| TO-262
| TO-263
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絲印
| 65R380C
| 65R380C
| 65R380C
| 65R380C
| 65R380C | 65R380C |
絕對最大額定值TC = 25，除非另外有說明。 |
| 慘數 | 符號 | 數值
| 單位
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TO-220, TO-251, TO-252 TO-262, TO-263 | TO-220F
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漏源電壓(VGS=0V) | VDSS | 650
| V |
| 連續漏電流 | ID | 11 | A |
脈沖漏極電流（註1）
| IDM | 33 | A |
| 柵源電壓 | VGSS | ±30
| V |
單脈沖雪崩能量（註2） | EAS | 211
| mJ
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| 雪崩電流（註1） | IAR | 1.6
| A |
重復雪崩能量（註1）
| EAR | 0.32
| mJ
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功率耗散(TC=25ºC) | PD | 78
| 31.3 | W |
| 工作結溫和存儲溫度範圍 | TJ, Tstg
| -55~+150
| ºC
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熱阻
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慘數
| 符號
| 數值
| 單位
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TO-220, TO-251, TO-252 TO-262, TO-263 | TO-220F
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芯片對管殼熱阻 | RthJC | 1.6
| 4.0 | ºC/W
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芯片對環境的熱阻 | RthJA | 62 | 80 |
電性慘數TJ = 25ºC，除非另有說明 |
慘數
| 符號 | 測試條件
| 數值
| 單位
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最小值
| 典型值
| 最大值
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靜態
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漏源擊穿電壓
| V(BR)DSS | VGS= 0V, ID= 250µA | 650
| －－ | －－ | V |
漏源漏電流
| IDSS | VDS=650V,VGS=0V,TJ=25ºC | －－
| －－ | 1 | μA
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VDS=650V,VGS=0V,TJ=150ºC | －－ | －－ | 100 |
柵源漏電流
| IGSS | VGS=±30V | －－ | －－ | ±100
| nA
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| 柵極開啟電壓 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.5
| －－ | 4.0 | V
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導通電阻 (註3)
| RDS(on) | VGS=10V,ID=3A | －－ | 0.36
| 0.42 | Ω
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向前跨導(註3)
| gfs | VDS=10V,ID=3A | －－ | 7.8 | －－ | S |
動態
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輸入電容
| Ciss | VGS=0V,VDS=50V, f=1.0MHz | －－ | 901
| －－ | pF
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| 輸出電容 | Coss | －－ | 50
| －－ |
反向傳輸電容
| Crss | －－ | 5.5
| －－ |
總柵極電荷量
| Qg | VDD=520V,ID=7A,VGS=10V | -- | 21 | -- | nC
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柵極-源極電荷量
| Qgs | -- | 4.5 | -- |
| 柵極-漏極電荷量 | Qgd | -- | 7 | -- |
| 開啟延遲時間 | td(on) | VDD=400V,ID=7A,RG=25Ω | -- | 41 | -- | ns
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| 開啟上升時間 | tr | -- | 20 | -- |
關斷延遲時間
| td(off) | -- | 123 | -- |
關斷下降時間
| tf | -- | 6.4 | -- |
| 源- 漏二極管特性慘數 |
| 源極電流 | IS | TC=25ºC | -- | -- | 9.2
| A
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| 源極脈沖電流 | ISM | -- | -- | 29 |
源-漏二極管壓降
| VSD | TJ=25ºC,ISD=7A,VGS=0V | -- | 0.9
| 1.2 | V |
反向恢復時間
| trr | VR=520V,IF=IS, diF/dt=100A/μs | -- | 280
| -- | ns
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反向恢復電荷
| Qrr | -- | 2.8
| -- | μC
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峰值反向恢復電流
| Irrm | -- | 17
| -- | A
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註：
1. 重復評定：脈沖寬度限制的最大結溫
2. IAS=1.6A,VDD=50V, RG=25Ω, 啟動TJ=25℃
3. 脈沖測試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤1%
