100V/8A N+P溝道增強型MOSFET-AP8G10NF
AP8G10NF N+P-溝道增強型MOSFET描述
AP8G06NF采用先進的溝槽技術,提供出色的RDS(ON)、低柵極電荷和低至4.5V的柵極電壓操作。該設備適用於電池保護或其他開關應用。
AP8G10NF 特性參數
VDS = 100V ID =8A
RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V
VDS = -100V ID =-6.5A
RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V
AP8G10NF 典型應用
●蓄電池保護
●負載開關
●不間斷電源
AP8G10NF包裝標記和訂購信息
產品型號
| 打印名稱
| 封裝方式
| MOQ(Pcs)
|
AP8G10NF
| AP8G10NF XXX YYYY | PDFN5*6-8L
| 5000
|
AP8G10NF絕對最大額定值(TC=25℃,除非另有規定)
AP8G10NF N-溝道電氣特性(TJ=25℃,除非另有說明)
備註:
1、 基於最大允許結溫計算的連續電流。
2、 重復評級;脈沖寬度受最高結溫限製。
3、 Pd基於最高結溫,使用結殼熱阻。
4、 VDD=50 V,RG=50Ω,L=0.3 mH,起始溫度Tj=25°C。
5、 RθJA的值是用安裝在帶2oz的1/2 FR-4板上的設備測量的。銅,在Ta=25°C的靜止空氣環境中。
AP8G10NF P-溝道電氣特性(TJ=25℃,除非另有說明)
備註:
1、 基於最大允許結溫計算的連續電流。
2、 重復評級;脈沖寬度受最高結溫限製。
3、 功率耗散PD基於最大結溫,使用結到殼熱阻。
4、 RθJA的值是用安裝在帶2oz的1/2 FR-4板上的設備測量的。銅,在TA=25°C的靜止空氣環境中