4A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF4N65T/F(G)/M/D N 沟道增强型高压功率MOS场效应晶
体管采用士兰微电子的F-Cell
TM
平面高压VDMOS 工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换
器,高压H 桥PWM马达驱动。
特点
∗ 4A,650V,R DS(on)(典型值)=2.5 Ω@VGS
=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
