Silan,-,SVF1N60D,SVF1N60D,

漏源电压VDS :	600V
栅源电压Vgs :	±30V
工作结温范围 :	—55～+150
漏极电流 Id :	1.0A
导通电阻RDSon(max) :	11Ω
漏极脉冲电流 IDM :	4A
耗散功率(Tc=25℃) Pd :	28W
封装形式 :	TO252-2L

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1A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF1N60M/MJ/N/B/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H 桥PWM马达驱动。

特点

∗ 1A，600V，R DS(on)(典型值)=8.2 Ω@VGS=10V

∗ 低栅极电荷量

∗ 低反向传输电容

∗ 开关速度快

∗ 提升了dv/dt 能力

QQ截图20130517141821.jpg

暂无说明

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SVF1N60D

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