50W外置MOS高压线性LED恒流驱动器LA5110D
LA5110D概述：
LA5110D是一款单通道高压线性LED恒流驱动器，实时监测电网电压并调整驱动器阻抗，以实现LED负载的恒流驱动。内置的过温补偿功能，避免过热引起的热保护闪烁。其电源系统结构简单，内置500V高压启动电路,只需很少的外围器件就可以实现优秀的恒流特性。是一款体积小、成本低的LED恒流单芯片驱动
LA5110D系统的输出电流可以通过电流采样电阻进行编程。由于无需电解电容及磁性元件，可以实现很小的电源体积和非常长的电源寿命。
LA5110D采用QFN3X3-3L封装。
LA5110D特点
●满足输入电压110VAC/120VAC /220VAC
●大电流应用外置Power MOS (12W以内可配LA03N50S，50W配置2N60足够了)
●可编程的LED输出电流，恒流电流精度±4%
●过温保护功能
●过温补偿功能
●精简的外围电路，成品电源体积小
LA5110D应用范围:
LED 灯丝灯/蜡烛灯/射灯/球泡灯/日光灯
LA5110D订货信息
产品型号
| 封装类型
| 温度范围
| 定购号
| 包装
|
LA5110D
| QFN3X3_3L
| -40℃ to 85℃
| LA5110D_ QFN3X3_3L | 编带_4000/盘
|
LA5110D管脚定义：
LA5110D引脚名称
| LA5110D引脚号 | LA5111 引脚功能
|
| GND | 1 | 系统接地脚 |
G
| 2 | 外置MOS控制端，接MOS的gate端
|
CS
| 3 | 电流取样脚， 连接取样电阻到地。 |
| D | 4 | 芯片供电端，同时也是驱动输出脚，接LED负端 |
LA5110D典型应用(功率随MOS而定，建议，单颗LA5110D做50W)
红框中的电路功能可根据需求增加或减少
LA5110D功能描述
1. LA5110D是一款单通道高压线性LED恒流驱动器，内部集成了高压启动模块、LED恒流控制模块、OTP过温保护模块、温度补偿、高压驱动输出模块等功能模块。
2. 输出电流通过改变CS端外接电阻Rcs来编程，内置MOS版本LA5110C、LA5110C2可满足每通道输出电流在5mA到60mA之间变化，大电流应用可选用外置MOS版本的LA5110D，输出电流的恒流公式为：Iout =VREF /Rcs。
3. 芯片支持温度补偿模块, 在温度升高到150℃时, LED 电流按照设定曲线减小, 温度接近170度LED电流下降到接近0. 进入温度保护状态. 温度补偿功能可以避免LED因为环境温度高, 造成LED烧毁的现象。
LA5110D应用信息：
1、高压LED串的设计
所需设计参数如下：
（1） 交流输入电压：Vnor（Vrms）
（2）LED晶粒的正向电流：If（mA）
（3）LED晶粒的正向电压：Vf（V）
LED晶粒的总数：N =（Vnor * 1.414-V1）/Vf （取整）。
其中V1是工作时IC压降，可以根据实际应用中散热条件适当调整，建议芯片功耗不大于1.5W。当输入电压波动到Vnor*1.414-V1＜Vf*N.时灯珠串不亮，V1过大损耗会增大，芯
片损耗增加温度上升，所以V1取值要根据输入电压波动合理设定。
2、效率设计
其中Vin是AC输入电压，VLED 是每个LED灯工作电压降，ILED是LED导通电流。线路中串联的LED数量N越大，系统工作效率越高。设计过程中，可以根据实际应用条件合理调节V1，优化效率。
3、恒流控制，输出电流设置
LA5110D可以通过外部电阻精确的设定工作电流。工作电流计算公式： Iout =VREF /Rcs
注：布PCB线路时芯片要有良好的散热环境。
电解电容C值越大，电压Vin 纹波越小，LA5110D输入D端口电压纹波越小。C值根据LED 灯管总工作电流而定：电流越大，C容值越大，一般取值4.7uF/400V~22uF/400V
LA5110D应用案例：
220VAC输入，LED灯珠在30mA电流时每颗灯珠约3V压降（视灯珠而定）：
灯珠数量确定(如典型应用图)
灯珠数N = (Vnor * 1.414-V1)/Vf=（220*1.414-50）/3≈88颗
取样电阻计算：
预设电流为I =30mA。
算法如下：
芯片工作温度77℃，Vref取600mV。
R2=Vref/I=600mV/30mA≈210Ω
根据并联的LED串数和工作电流，选择不同大小的取样电阻。整个线路恒流电流大小等于每个芯片恒流值之和。
